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Intel固然一再强调本身的xxnm工艺才是最准确的，好比同样标称10nm，本身要比三星、台积电的领先整整一代，可是没步伐，人家的脚步要快得多。 本日，三星电子又公布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus)，并确认将来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。三星11LPP工艺不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面回收10nm BEOL(后端工艺)，可以大大缩小芯单方面积，另一方面则沿用14nm LPP工艺的部门元素。
三星于2016年10月投产10LPE(10nm Low Power Early)，并已筹备好即将投产10LPP(10nm Low Power Plus)，主要为智妙手机制造芯片，14nm工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。 下一步，三星还会增加14LPU、10LPU版本，11LPP工艺将填补三星14nm、10nm之间的空缺，号称可在同等晶体管数量和功耗下比14LPP工艺晋升15%的机能，可能低落10%的功耗，别的晶体管密度也有所提高。 三星打算2018年上半年投产11LPP工艺，将来，三星还一路筹备了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工艺，个中7nm 7LPP版本会全面融合EUV极紫外光刻，确认2018年下半年试产。 还有报道称，在那之前的来岁上半年，三星会首先在8LPP工艺的特定层上利用EUV。三星暗示，2014年以来，已经利用EUV技能处理惩罚了靠近20万块晶圆，取得了厚实成就，好比256Mb SRAM的良品率到达了80%。
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